关于集成电路类论文范文,与集成电路重要工艺流程相关论文提纲

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【摘　要】半导体集成电路的生产过程极其复杂,习惯上将其分为前置作业,电路的制作,晶圆Wafer及晶粒Die测试和后段的封装测试等.因为IC是由很多的电路集合而成的,而这些电路组件和线路是以晶圆为基础并以层状分布的,制造过程也是一层层的建造出来的,类似于建楼房的过程.

【关 键 词】半导体工艺；光刻；刻蚀；离子注入；淀积；Semiconductorprocess

1.生产晶圆(WaferIngot)

半导体材料是单晶组成.而它是由大块的具有多晶结构和未掺杂的本征材料生长得来的.把多晶块转变成一个大单晶,并给予正确的晶向和适量的N型或P型掺杂,叫做晶体生长.有两种不同的生长方法,直拉法和区熔法.

晶体的生长原理非常简单和熟悉.假设在最终要蒸发的饱和溶液中加入一些糖晶体.糖晶体的作用是作为额外的糖分子沉积的种子.最后这个晶体能生长的非常大.晶体的生长即使在缺乏种子的情况下也会发生,但产物中会有混乱的小的晶体.通过抑制不需要的晶核区,种子的使用能生长更大,更完美的晶体.

理论上,硅晶体的生长方式和糖晶体的一致.实际上,不存在适合硅的溶剂,而且晶体必须在超过1400℃的熔融状态下生长.最终的晶体至少有一米长,十厘米的直径,如果他们要用在半导体工业上的话还必须有接近完美的晶体结构.这些要求使得工艺很有挑战性.通常生产半导体级别的硅晶体的方法是Czochralski工艺.这个工艺使用装满了半导体级别的多晶体硅的硅坩锅.电炉加热硅坩锅直到所有的硅融化.然后温度慢慢降低,一小块种子晶体被放到坩锅里.受控制的冷却使硅原子一层一层的沉积到种子晶体上.装有种子的棒缓慢的上升,所以只有生长中的晶体的低层部分和熔融的硅有接触.通过这个方法,能从融化的硅中一厘米一厘米的拉出一个大的硅晶体.

2.光刻（Photo）

光刻是一种图形复印和化学腐蚀相结合的精密表面加工技术.光刻的目的就是在二氧化硅或金属薄膜上面刻蚀出与掩膜版完全对应的几何图形从而实现选择性扩散和金属薄膜布线的目的.

光刻是集成电路制造过程中最复杂和最关键的工艺之一.光刻是加工集成电路微图形结构的关键工艺技术,通常,光刻次数越多,就意味着工艺越复杂.另—方面,光刻所能加工的线条越细,意味着工艺线水平越高.光刻工艺是完成在整个硅片上进行开窗的工作.光刻技术类似于照片的印相技术,所不同的是,相纸上有感光材料,而硅片上的感光材料--光刻胶是通过旋涂技术在工艺中后加工的.光刻掩模相当于照相底片,一定的波长的光线通过这个“底片”,在光刻胶上形成与掩模版（光罩）图形相反的感光区,然后进行显影、定影、坚膜等步骤,在光刻胶膜上有的区域被溶解掉,有的区域保留下来,形成了版图图形,为后序的掺杂、薄膜等工艺做好准备.

光刻三要素：光刻胶、掩膜版和光刻机光刻胶又叫光致抗蚀剂,它是由光敏化合物、基体树脂和有机溶剂等混合而成的胶状液体光刻胶受到特定波长光线的作用后,导致其化学结构发生变化,使光刻胶在某种特定溶液中的溶解特性改变.

根据光刻胶在曝光前后溶解特性的变化可将分为正胶和负胶.正胶：曝光前不可溶,曝光后可溶,特点是分辨率高,在超大规模集成电路工艺中,一般只采用正胶.负胶：曝光前可溶曝光后不可溶,分辨率差,适于加工线宽≥3m的线条.

光刻八个步骤一般可分为：成底膜->涂胶->前烘->对准和曝光->曝光后烘焙-